|
Тип |
внутренний |
|
Объем |
1000 ГБ |
|
Форм-фактор |
M.2 |
|
Интерфейс M.2 |
PCI-E 4.0 4x |
|
Контроллер |
Samsung Pascal |
|
Буферная память |
1000 МБ |
|
Тип памяти |
3D TLC NAND / Samsung 176-слойная / |
|
NVMe |
|
|
Внешняя скорость записи |
6900 МБ/с |
|
Внешняя скорость считывания |
7450 МБ/с |
|
Наработка на отказ |
1.5 млн. ч |
|
IOPS записи |
1550 тыс |
|
IOPS считывания |
1200 тыс |
|
TBW |
600 ТБ |
|
DWPD |
0.3 раз/день |
|
|
|
|
TRIM |
|
|
Шифрование данных |
|
|
Размеры |
22x80 мм |